سامسونج تعلن عن استثمار 17 مليار دولار لإنشاء مصنع لأشباه الموصلات في ولاية تكساس الأمريكية

سامسونج تعلن عن استثمار 17 مليار دولار لإنشاء مصنع لأشباه الموصلات في ولاية تكساس الأمريكية 🏭

الاستثمار يعتبر الأكبر من سامسونج في أمريكا ويهدف لحل مشكلة نقص أشباه الموصلات العالمية.

سيبدأ بناء المصنع في النصف الأول من 2022 على ان يبدأ الانتاج في النصف الثاني من 2024.

سامسونج تعلن عن استثمار 17 مليار دولار لإنشاء مصنع لأشباه الموصلات في ولاية تكساس الأمريكية

سامسونج تعلن عن استثمار 17 مليار دولار لإنشاء مصنع لأشباه الموصلات في ولاية تكساس الأمريكية 🏭

الاستثمار يعتبر الأكبر من سامسونج في أمريكا ويهدف لحل مشكلة نقص أشباه الموصلات العالمية.

سيبدأ بناء المصنع في النصف الأول من 2022 على ان يبدأ الانتاج في النصف الثاني من 2024.

سامسونج تحذف صفحات الدعم الرسمية التي تشير الى هاتف سامسونج #GalaxyS21FE ❗ تأتي هذه الخطوة لتزيد

سامسونج تحذف صفحات الدعم الرسمية التي تشير الى هاتف سامسونج #GalaxyS21FE ❗

تأتي هذه الخطوة لتزيد التأكيد على الاشاعات السابقة لإلغاء سامسونج للجهاز بشكل كامل مع مشكلة شح أشباه الموصلات وقوة الطلب على #GalaxyZFlip3

تقارير :الغاء حدث الكشف عن #GalaxyS21FE ❗ حسب تقارير من كوريا تم الغاء حدث الكشف عن

تقارير :الغاء حدث الكشف عن #GalaxyS21FE ❗

حسب تقارير من كوريا تم الغاء حدث الكشف عن الجهاز والذي كان يتوقع بأنه سيقام في منتصف أكتوبر وقد يدل ذلك على الغاء اطلاق الجهاز كليا.

احد الاسباب هو ارتفاع الطلب على #GalaxyZFlip3 وسامسونج تعاني في تلبية الطلبات ونقص أشباه الموصلات.

شركة سامسونغ تواجه مصاعب مع عملية تصنيع أشباه الموصلات 3 نانومتر❗ أكدت آخر التقارير الواردة من

شركة سامسونغ تواجه مصاعب مع عملية تصنيع أشباه الموصلات 3 نانومتر❗

أكدت آخر التقارير الواردة من آسيا بأن شركة سامسونغ الكورية تواجه مصاعب حقيقية في تطوير عملية تصنيع 3 نانومتر.

شركة TSMC التايوانية تُخطط أيضا لبدء الإنتاج الواسع أشباه الموصلات 3 نانومتر قبل نهاية 2022.

تسريب المزيد عن مواصفات هاتف سامسونج #GalaxyS21FE 📱 حسب التسريب فالهاتف سيتوفر مع معالج Snapdragon 888

تسريب المزيد عن مواصفات هاتف سامسونج #GalaxyS21FE 📱

حسب التسريب فالهاتف سيتوفر مع معالج Snapdragon 888 وذاكرة عشوائية بحجم 6GB.

من الجدير بالذكر بأن التقارير السابقة قد أكدت رغبة سامسونج بإطلاق الجهاز بشكل محدود في بعض الدول بسبب مشكلة شح أشباه الموصلات.

سامسونج تحقق قفزة بنسبة 54% في أرباح الربع الثاني مقارنة بالعام الماضي 💰 اغلب الأرباح جاءت

سامسونج تحقق قفزة بنسبة 54% في أرباح الربع الثاني مقارنة بالعام الماضي 💰

اغلب الأرباح جاءت بسبب قوة الطلب على أشباه الموصلات وتأمل سامسونج بتحقيق المزيد من الأرباح في الربع الثالث مع إطلاقها لأجهزها الجديدة القابلة للطي.

#Samsung

تقارير : سامسونج ستطلق هاتف #GalaxyS21FE في امريكا واوروبا فقط بسبب نقص أشباه الموصلات❗ حسب

تقارير : سامسونج ستطلق هاتف #GalaxyS21FE في امريكا واوروبا فقط بسبب نقص أشباه الموصلات❗

حسب تقرير من FNN News الكورية فإن سامسونج تتوجه لاطلاق الهاتف في امريكا في أغسطس ولاوروبا في أكتوبر لمواجهة مشكلة شح الرقائق العالمية التي تؤثر على عملية التصنيع ولكن القرار ليس نهائيا بعد.

تقارير : سامسونج توقف عملية تصنيع هاتف #GalaxyS21FE بسبب نقص أشباه الموصلات ❗ الهاتف كان من

تقارير : سامسونج توقف عملية تصنيع هاتف #GalaxyS21FE بسبب نقص أشباه الموصلات ❗

الهاتف كان من المفترض إطلاقه في شهر أغسطس وحسب etnews الكورية فشركة سامسونج أوقفت اليوم عملية التصنيع للهاتف وهو أول هاتف من سامسونج تتغير خطة إطلاقه بسبب مشكلة شح أشباه الموصلات العالمية.

الحكومة الأمريكية تحظر استثمار الأفراد في 59 شركة صينية بينهم شركة هواوي ❗ القرار الجديد ينضم

الحكومة الأمريكية تحظر استثمار الأفراد في 59 شركة صينية بينهم شركة هواوي ❗

القرار الجديد ينضم الى قائمة القرارات ضد مجموعة من الشركات وسيزيد من الصعوبات التي تواجهها شركة هواوي.

ومن ضمن الشركات في القائمة SMIC مصنعة أشباه الموصلات وشركة المراقبة Hikvision.

شركة Qualcomm تؤكد بأن شح رقائق أشباه الموصلات سيؤثر على الهواتف أيضا وان تأثيرها سيستمر

شركة Qualcomm تؤكد بأن شح رقائق أشباه الموصلات سيؤثر على الهواتف أيضا وان تأثيرها سيستمر حتى نهاية 2021📱

هذا ما أكده Cristiano Amon المدير التنفيذي لشركة Qualcomms وأشار بانهم تحت ضغط كبير من طلبات المعالجات من صناع الهواتف الذين يرغبون باستغلال مشاكل هواوي واخذ حصتها في السوق.

TSMC تؤكّد جهوزية دقّة التصنيع 3 نانومتر في 2022 ✅ المُثير في الأمر أن التقارير تُشير

TSMC تؤكّد جهوزية دقّة التصنيع 3 نانومتر في 2022 ✅

المُثير في الأمر أن التقارير تُشير إلى نقلة كبيرة جدًا ستتحقق بين 5 و 3 نانومتر أكبر من النقلة بين 7 و 5 نانومتر. نظريًا و على الورق على الأقل، يُمكن أن تصل كثافة أشباه الموصلات في رقاقات 3 نانومتر إلى 3 أضعاف كثافة 7 نانومتر.