شركة سامسونج تبدأ في تطوير ذاكرة عشوائية من نوع MRAM تتميز الذاكرة بإستهلاك أقل للطاقة و

شركة سامسونج تبدأ في تطوير ذاكرة عشوائية من نوع MRAM

تتميز الذاكرة بإستهلاك أقل للطاقة و إحتفاظها بالبيانات حتى دون وجود طاقة كهربائية فهي تعمل بالشحنات المغناطيسية عكس ذاكرة DRAM الحالية التي تحتاج إلى طاقة كهربائية لتخزين المعلومات و تعمل بالشحنات الكهربائية

شركة سامسونج بدأت في أنتاج 4 انواع من رقائق الذاكرة للسيارات الكهربائية و الذاتية القيادة

شركة سامسونج بدأت في أنتاج 4 انواع من رقائق الذاكرة للسيارات الكهربائية و الذاتية القيادة

رقائق التخزين الأربعة هي:
🔘 ذاكرة Auto SSD بسعة 256GB

🔘 ذاكرة عشوائية من نوع DDR4 DRAM بسعة 2GB

🔘 ذاكرة عشوائية من نوع GDDR6 DRAM

🔘 ذاكرة تخزين من نوع UFS بسعة 128GB

أسعار الذاكرة للفيديو سترتفع بنسبة 5% في 2020

Samsung GDDR6

أشارت آخر التقارير التقنية الواردة على شبكة الانترنت أنّه من المتوقع أن ترتفع أسعار الذاكرة العشوائية المُستخدمة للفيديو بنسبة 5% مقارنة مع الأسعار الحالية في العام القادم 2020، و يأتي هذا الارتفاع أعلى من المجالات الأخرى التي تُستخدم الذاكرة العشوائية DRAM.

و السببُ الأساسي لهذا الارتفاع المُنتظر هو زيادة الإقبال على الذاكرة العشوائية الجديدة للفيديو GDDR6، كل من amd و nVIDIA ستقومان بإطلاق بطاقات رسومية جديدة تستعملُ هذه الذاكرة عوضاً عن GDDR5 الحالية. بالإضافة إلى ذلك فإن الأجهزة المنزلية القادمة من سوني و مايكروسوفت، و المُخططة للصدور في موسم أعياد 2020، ستستعمل ذاكرة GDDR6 أيضاً.

سامسونج متهمة بالتواطؤ مع الموردين الآخرين لذواكر DRAM لرفع الأسعار

Samsung Company IoT

إذا كان هناك سبب يجعل الحكومات تشعر بالقلق إزاء إحتكار الشركات للسوق هو أنه بسبب الإحتكار، فليس أمام العملاء سوى خيار الشراء منك، وهذا بدوره يعني أن الشركات يمكن أن تتقاضى منك ما تريده هي بالضبط من خلال الإستفادة من مكانتها. للآسف، يبدو أن هذا هو الموقف الذي وجدت فيه شركة سامسونج نفسها.

ووفقا لدعوى قضائية رفعت ضد الشركة الكورية الجنوبية، فيبدو أن شركة سامسونج متهمة بالإستفادة من موقعها في السوق والتواطؤ مع موردي الذواكر العشوائية DRAM الآخرين لرفع أسعار هذا المكون الأساسي. وتسعى الدعوى القضائية إلى إتخاذ إجراءات جماعية نيابة عن جميع المستهلكين الأمريكيين للهواتف الذكية والحواسيب ضد شركات مثل Samsung و Hynix و Micron حيث يزعمون أن هذه الشركات الثلاث تتحكم بشكل جماعي في 96 في المئة من السوق العالمي للذواكر العشوائية DRAM.

قال Steve Berman، وهو شريك إداري في شركة Hagens Berman : ” إن ما إكتشفناه في سوق الذواكر العشوائية DRAM هو نظام كلاسيكي لمكافحة الإحتكار وتحديد الأسعار، حيث يحتفظ عدد صغير من الشركات الكبرى بحصة الأسد في السوق. بدلا من اللعب وفق القواعد، إختارت Samsung و Micron و Hynix وضع المستهلكين في مشنقة، الأمر الذي أدى إلى خنق السوق لتحقيق المزيد من الأرباح “.

شركة سامسونج والشركات الأخرى المنخرطة في هذه الدعوى القضائية لم تعلق بعد عليها.

 

أسعار الذاكرة العشوائية للأجهزة الذكية سترتفع في الربع الرابع من العام الحالي

Corsair

إن كُنتَ من المُهتمين بعتاد الحواسيب الشخصية، فلا شك بأنك قد لاحظتَ الارتفاع الكبير في أسعار الذاكرة العشوائية أو الرام، و التي باتت مرتفعة الثمن حقاً! على أية حال، يعود السبب في ذلك إلى شُح إنتاجها، مع توفير الكميات الكُبرى منها لصالح الأجهزة الذكية، التي أصبحت شريان الحياة العصرية الرئيس.

حسناً، تقارير جديدة اليوم أكدت بأن أسعار الذاكرة العشوائية سترتفع على مُصنعي الأجهزة الذكية أيضاً، و بنسبة تقدر بنحو 10-15% خلال الربع الرابع من هذا العام، مقارنة بالربع الثالث، و ذلك لأن شحنة الذاكرة العشوائية محدودة عالمياً، إذ يُعاني مُنتجوها من تلبية الإقبال الضخم و الكبير عليها، خاصة مع الزيادة التي شهدتها أحجام الذاكرة العشوائية في الهواتف.

هناك تأكيدات بأن الأسعار لن تنخفض في الربع الأول من 2018، و أن الإنتاج سيبقى محدوداً طوال 2018 أيضاً، حيث لا يُخطط مزودو الذاكرة العشوائية للقيام بأي عمليات توسع بارزة في أي وقتٍ قريب، و عوضاً عن ذلك فالعمل جارٍ على تحسين التقنيات الموجودة.

سامسونج تبدأ عملية الإنتاج الضخم لذاكرات DRAM الأسرع في العالم

samsung-2

أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت الإنتاج الضخم لأسرع ذاكرة DRAM عشوائية في العالم، والتي تستند على واجهة HDM Interface. وتستند ذاكرة DRAM العشوائية الجديدة التي بدأت شركة سامسونج إنتاجها على الجيل الثاني من High Bandwidth Memory والمعروفة إختصارا بإسم HBM2، وقد تم تصميم هذه الذاكرة العشوائية ليتم إستخدامها في الحواسب العالية الأداء.

وقالت شركة سامسونج بأن إنتاجها للجيل المقبل من ذاكرات HBM2 DRAM، فهي تساهم بشكل أكبر في تسريع تبني الجيل المقبل من الحواسيب العالية الأداء من قبل شركات تكنولوجيا المعلومات العالمية. وأوضحت شركة سامسونج كذلك بأنها تستخدم تقنية التصنيع 20 نانومتر الأكثر كفاءة وتصميم الرقاقة HBM المتقدم، وهذا كله يوفر الأداء العالي، والكفاءة في إستهلاك الطاقة، والموثوقية، والأبعاد الصغيرة مما يجعل هذه ذكرات DRAM العشوائية الجديدة مناسبة جدا للجيل المقبل من الحواسيب العالية الأداء وبطاقات الرسوميات.

عموما، يمكنك معرفة المزيد من التفاصيل حول ذاكرة 4GB HBM2 DRAM العشوائية الجديدة من سامسونج على الموقع الرسمي للشركة إنطلاقا من رابط المصدر أدناه.

المصدر.